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- 產(chǎn)品價格:
- 不限 1-500元 500-1000元 1000-1500元 1500-2000元 2000-2500元 3000元以上 5000元以上 1萬元以上
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高功率半導(dǎo)體檢測設(shè)備
普賽斯高功率半導(dǎo)體檢測設(shè)備測試方案PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計、精益打造的高精密電壓/電流測試分
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數(shù)字源表四探針測半導(dǎo)體材料電阻率
簡述電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量,某種材料制成的長為1米,橫截面積為1平方米的導(dǎo)體的電阻,在數(shù)值上等于這種材料
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晶體管參數(shù)曲線圖示儀
晶體管參數(shù)曲線圖示儀優(yōu)勢:IV、CV一鍵測;一體機,支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測
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BYKC-III變壓器有載分接開關(guān)測試儀
一.產(chǎn)品概述:BYKC-III變壓器有載分接開關(guān)測試儀是根據(jù)中華人民共和國電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)之高電壓測試設(shè)備,通用技術(shù)條件DL/T846、8-2
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半導(dǎo)體分立器件測試儀and分立器件檢測儀
半導(dǎo)體分立器件是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等,具有整流、放
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TD1160避雷器測試儀
一、概述TD1160避雷器測試儀是專門用于檢測10kV及以下電力系統(tǒng)用無間隙氧化鋅避雷器MOA閥片間性能不良的內(nèi)部缺陷,根據(jù)《DL/T596
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wat半導(dǎo)體參數(shù)測試設(shè)備晶圓片檢測儀
wat半導(dǎo)體參數(shù)測試設(shè)備晶圓片檢測儀優(yōu)勢:IV、CV一鍵測;一體機,支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺能夠覆蓋從材料、晶圓、
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基于國產(chǎn)源表的微電子教學(xué)實驗平臺
一、高校微電子教學(xué)實驗平臺建設(shè)中的痛點1、可定制化程度低,支出成本高。采用教育型磚用儀器儀表,功能比較單一,復(fù)用率較低,
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高校實驗教學(xué)IV性能分析數(shù)字源表
高校實驗教學(xué)IV性能分析數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),對標(biāo)美國2400,B2901;可實現(xiàn)源的輸出和表的測量同
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插卡式數(shù)字源表+多通道測量源表
產(chǎn)品簡介普賽斯插卡式設(shè)備具有通道密度高、同步觸發(fā)功能強、多設(shè)備組合效率高等特點。普賽斯插卡式主機采用自定義框架,背板總線
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半導(dǎo)體參數(shù)測試儀分立器件iv/cv一鍵測
優(yōu)勢:IV、CV一鍵測;一體機,支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試概述:SPA-6100半導(dǎo)
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雙通道源表高精度2通道數(shù)字源表
產(chǎn)品簡介DPX00B雙通道高精度臺式脈沖源表是在單通道脈沖臺式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電
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HMZK-II變壓器短路阻抗測試儀
一、產(chǎn)品的用途及特點國家電力公司頒發(fā)的[2000] 589 號文件《防止電力生產(chǎn)重大事故的二十五項重點要求》中15.2條規(guī)定:110kV及以
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TFRC變壓器繞組變形測試儀
一、儀器概述變壓器繞組變形測試儀根據(jù)對變壓器內(nèi)部繞組特征參數(shù)的測量,采用目前世界發(fā)達(dá)國家正在開發(fā)完善的內(nèi)部故障頻率響應(yīng)分
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柔性材料形變測試SMU數(shù)字源表
柔性電子材料及其應(yīng)用柔性電子是將無機/有機器件附著于柔性基底上形成電路的技術(shù)。相對于傳統(tǒng)硅電子,柔性電子是指可以彎曲、折疊
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柔性材料電性能分析數(shù)字源表
柔性電子材料動態(tài)測試難點 柔性電子材料在使用過程中會被反復(fù)彎折扭曲,在此過程中材料表面和內(nèi)部的應(yīng)力狀態(tài)和微觀結(jié)構(gòu)都會逐漸
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功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)8000V高壓
普賽斯功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案普賽斯功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量功率半導(dǎo)體器件
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IGBT來料檢測儀器igbt單管|模塊測試機
SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)
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高電壓大電流功率器件測試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)
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