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高功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備
態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。詳詢一八一四零六六三四七六;


從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋



產(chǎn)品特點(diǎn)
1、高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)


具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
2、高精度測(cè)量
nA級(jí)漏電流,級(jí)導(dǎo)通電阻


0.1%精度測(cè)量


四線制測(cè)試
3、模塊
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