石墨烯研磨機一種剝離石墨烯機械法多功能機器
2004 年，石墨烯##發(fā)現(xiàn)，被稱為“材料##”， 2004年，曼徹斯特大學的安德烈 蓋姆（Andre Gei m）和康斯坦丁 諾沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）用微機械剝離法成功分離出穩(wěn)定的單層石墨烯，顛覆了凝聚態(tài)物理學界既往的二維材料不能在有限溫度下存在的觀點，被授予2010 年諾貝爾物理獎。2025 年將達到千億市場規(guī)模，我們認為：21世紀，人類將從硅時代全面邁向石墨烯時代。市場廣闊大有可為1、材料##:石墨烯（Graphene）是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的單層二維碳納米材料，這種穩(wěn)定二維蜂巢狀晶格結(jié)構(gòu)賦予了石墨烯力學、光學、電學和微觀量子性質(zhì)等極為優(yōu)異的性能，被稱為“材料##”。
2、碳材料之母:石墨烯是碳的各種形態(tài)中的基本結(jié)構(gòu)，可以從石墨烯成功制備出如富勒烯、碳納米管，彈道晶體管等其他碳素新材料，石墨烯也因此被稱為“碳材料之母”。
單層石墨烯屬于二維晶體，由于二維晶體具有熱力學不穩(wěn)定性，所以其附帶褶皺（褶皺是二維石墨烯存在的必要條件）。
一般認為石墨烯是一種拓撲絕緣體，內(nèi)部絕緣、表面導電，是一種不同于導體和絕緣體的新的凝聚態(tài)。我們認為，21世紀，人類將從硅時代全面邁向石墨烯時代。
昊星科技研制新型剝離機械式多功能研磨機-納米錐體磨又稱高端智能納米膠體磨是專利為機械法石墨烯以高速,分散,攪拌,剪切,頻繁剝離,研磨,粉碎等作用下使碳能源和2D二維和3D三維機械剝離石墨烯納米纖維分散研磨制備在管道在線膠體錐體磨設(shè)計有多方面創(chuàng)新，并根據(jù)用戶要求可以設(shè)置具有使用冷卻液等冷源不與研磨介質(zhì)接觸，只作為間接冷卻媒體，實現(xiàn)超低溫粉碎，物料的防爆，防氧化而不污染物料等綜合效果，而被粉碎后的物料保持著原生狀態(tài)。整體膠體磨研磨系統(tǒng)和過濾器、補償裝置、傳動裝置、智能溫控等機械組成為新型智能膠體磨機組，只需在線連接進料和出料混合、高剪切超微粒研磨等多功能。廣泛應(yīng)用于二氧化鈦、白炭黑、硅油、碳黑、藥劑、消泡劑、發(fā)泡劑、催化劑、消光劑、膠粘劑、顏料、阻燃材料、涂層漿料、乳化油、瀝青、煤漿、石墨、碳黑、等食品、化工、制藥、日化、生物工程、水處理、礦產(chǎn)、新能源、納米材料等行業(yè)領(lǐng)域。
產(chǎn)業(yè)政策:全球支持政策、中國支持政策和千億市場規(guī)模石墨烯作為工業(yè)添加劑，材料本身市場規(guī)模并不大，各機構(gòu)預測到2020年石墨烯材料本身市場規(guī)模在1.5-3億美元之間，并在2015-2020年期間保持40%以上增速。但石墨烯作為基礎(chǔ)材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域極為廣闊，美國BCC Research預測，2018年全球石墨烯整體市場規(guī)?？赡芨哌_1.95億美元，2023年石墨烯應(yīng)用規(guī)模將達到13.43億美元，復合增長率47%。
《中國制造2025》明確了石墨烯發(fā)展目標，2020年“規(guī)模制備及電化學儲能、印刷電子、##航天用輕質(zhì)高強復合材料、海洋工程防腐等應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)水平達國際###，大幅提升相關(guān)產(chǎn)品性能，形成百億元產(chǎn)業(yè)規(guī)模，2025年突破石墨烯在電子信息領(lǐng)域應(yīng)用的技術(shù)瓶頸，整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破千億。
技術(shù)有待成熟,技術(shù)成熟曲線 石墨烯分類,按層數(shù)石墨烯按層數(shù)分類，其可分為：單層石墨烯、雙層石墨烯和少層石墨烯。石墨烯層數(shù)超過10層后，性質(zhì)接近薄層體石墨。按形態(tài):石墨烯按產(chǎn)品形態(tài)可分為石墨烯薄膜、粉體/微片。 石墨烯特性*薄*堅硬:單層石墨烯厚度只有0.335納米，是頭發(fā)直徑的二十萬分之一。人類已知強度*高物質(zhì):楊氏模量、泊松比和抗拉伸強度分別反映了材料的抗形變、彈性和抗斷裂的能力。
楊氏模量達到1TPa，與單壁碳納米管相當.強度約為180GPa，是普通鋼材的 100倍；韌性是碳纖維的20倍；抗拉強度超過125GPa；硬度超過鉆石。導電性*強，石墨烯作為理想二維晶體材料，電子運動速度達到光速的1/300，電導率可達10^6?3?2/m，是室溫下##的導電材料，性能超過已知##的導體銀或銅。載流子遷移率*高,石墨烯內(nèi)部載流子遷移率可達2×10^5cm^2 /Vs，是硅中電子遷移率的140倍，是未來各類導體、半導體電器元件的理想材料。
導熱性##:石墨烯是已知的導熱系數(shù)###物質(zhì)，理論導熱率達到5300W/mK，是室溫下導熱##的材料。
高透光性:單層石墨烯對光的吸收率僅為2.3%，且對任何波長都有效，打破了目前常用半導體化合物如砷化鎵等的吸收帶僅在可見光和近紅外端的限制，可制備透明導電薄膜，替代ITO，用于觸摸面板、柔性液晶面板、太陽能電池及LED照明等。
超大比表面積:石墨烯具有2630m^2/g的超大比表面積，能夠作為強力吸附劑與過濾材料，應(yīng)用于環(huán)保、海水淡化等領(lǐng)域，還能充當儲能材料負載。石墨烯制備,在制備技術(shù)層面，氧化還原法與物理剝離法常被用作制備石墨烯粉體，而化學氣相沉積法與外延生長法常被用作制備石墨烯薄膜。基本原理：機械剝離法是將高定向熱解石墨薄片粘在膠帶上，反復剝離，*終獲得一系列不同層數(shù)的石墨烯納米片。技術(shù)優(yōu)勢：該方法高度可控，方法簡單，成本低廉，可獲得多層(10層以下)的石墨烯納米片，尺寸*大可以達到10μm。技術(shù)難點 ：無法控制石墨烯納米片的大小、難以實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。